碳化硅(SiC)是由硅和碳元素以1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，是第三代宽禁带半导体的核心代表。其禁带宽度高达3.26eV，是传统硅材料的近3倍，具有耐高温、耐高压、高频率、低损耗等优异特性，被誉为"半导体材料革命"的关键突破。
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