导语：在人工智能大模型参数突破万亿级、边缘计算节点2025年增50%的产业变革临界点，数据中心正经历从“存储中心”向“决策中心”的质变。

　　在这场算力基础设施的代际跃迁中，448G高速互连技术以“三年翻四倍”的速率突破，成为重构数据中心架构的核心引擎。

　　这场由AI算力洪流倒逼的448G连接革命，正以液冷铜缆为矛、国产材料为盾，撕裂传统数据中心架构的桎梏。从莫仕的液冷高密度系统，到中航光电的极细铜线突围;从PAM6与PAM8的标准混战，到CPO光电协同的终极博弈，一场重塑算力基石的“血管手术”已悄然启动。

　　01|448G：算力经济的“新基建”基石

　　随着人工智能、大数据、云计算等技术的迅猛发展.大语言模型对计算资源的需求呈现指数级增长，而计算资源的高效调度又催生了海量数据交互需求，建构能够满足这些数据传输需求的基础设施变得更加迫切。全球数据中心规模也随之发展。

　　据 Statista 预测，2025年全球数据中心投资或将超过 4500 亿美元。

　　2025年全球数据中心投资总量图/ Statista官网

　　随之而来的，是数据中心内部的机器间通信量呈指数级增长，传统的数据传输速率已难以满足高效、低延迟的数据交互需求。然而数据中心的算力需求和传输瓶颈成为了大语言模型的致命矛盾。

　　GPU集群互联需求激增。​根据中研网《2025-2030年中国数据中心行业市场深度调研》，AI训练集群的GPU间通信带宽需求已达224Gbps，而单台GB200服务器机柜内部互连带宽需求突破1.6Tbps。448G技术通过单通道速率翻倍，将交换机端口密度提升至12.8Tbps/U，完美适配NVIDIA NVL72机柜的算力聚合需求。

　　随着448G技术的逐渐完善，大语言模型的发展矛盾已经从传输效率转变为了训练周期的时间，训练周期时间越短，意味着企业的投资回报率越高。所以训练周期压缩成为了数据中心发展的刚需。全球数据中心数据量以30%年复合增长率飙升，GPT-5级大模型参数量突破3万亿，训练周期需压缩30%，迫使机柜互连速率从224G向448G跃迁。

　　448G完成了能效比革命性突破。莫仕实验室数据显示，448G铜缆方案在5米距离内实现0.8pJ/bit的传输能效，较硅光模块降低60%。立讯精密的Intrepid架构通过3D堆叠技术，将背板连接器信号损耗控制在0.2dB/cm，支撑百万级IOPS的存储性能。

　　​与此同时448G的成本降低——铜缆3米内短距传输成本仅为光模块三分之一，功耗降低50%，成AI服务器内部最优解。

　　02|448G技术革命和大厂方案

　　数据中心机柜深处，铜缆的金属光泽在指示灯下若隐若现。当全球AI算力需求以年均300%的速度狂飙，224Gbps铜缆的量产仅是起点，而通往448G的道路却布满技术荆棘——信号衰减、热失控、调制标准悬而未决，每一步突破都牵动着算力巨兽的神经。

　　​ 图/包图网

　　CFCF2025 苏州光连接大会的圆桌论坛热门主题之一，是AI应用驱动之下，构建AI基础互联的光、电互联技术将不断朝着更高的单通道速率演进。本次圆桌论坛围绕448G单通道技术路径和商用化预测展开，在新易盛业务拓展总监张金双主持下，汇聚

　　了产业链的各个环节资深人士，由半导体、光模块、测试设备及终端应用领域的专家，围绕技术路径选择、产业链协同、市场驱动等核心议题展开深度探讨。

　　CFCF2025圆桌会议图/CFCF官方

　　大会中提出：

　　国内数据中心正经历一场谨慎的跃迁。当前主流400G端口仍基于单通道112G技术，百度等企业计划在2025年下半年启动800G升级，但仍是112G的堆叠;真正迈向224G单通道的部署预计在2026~2027年才会展开。这一节奏较北美慢了一代，核心制约在于GPU迭代速度和实际算力需求尚未完全匹配。这种滞后既是挑战，也是窗口期——留给产业链打磨448G技术的缓冲时间。

　　材料与工艺的创新正从底层撬动可能性。罗森泰通过物理发泡工艺将微孔精度控制在±0.1μm，使信号衰减降低40%，为高频传输扫除障碍。而嘉兴海棠电子的国产FEP发泡材料突破更显战略价值——介电常数降至1.3，打破了海外对低损耗介质的垄断，成为448G铜缆的“中国基座”。在制造端，通快的绿光激光焊接技术将铜材吸收率提升至40%，熔深稳定性提高30%，解决了微孔成型的致命缺陷;英捷特喷码的全自动化产线则将良率推至99.995%，为规模化量产铺平道路。

　　​ 嘉兴海棠电子有限公司总工 聂红俊 作报告/广东省连接器协会官方

　　热管理成为不可回避的生死线。3.2T光模块功耗可能突破50W，传统风冷彻底失效。伟创力开发的液冷铜缆方案将散热效率提升5倍，支撑1000W/机柜的功率密度，但热失控风险仍需材料与结构协同化解。架构层面，“线背板模组”正取代传统PCB，通过缩短30%信号路径支撑GPU集群的2英里互连需求;而共封装光学(CPO)的探索也在加速，试图将光模块贴近处理器，减少铜缆依赖。

　　​​产业力量对比正在重塑。中航光电凭借0.015mm极细铜线技术打入英伟达GB200和华为昇腾供应链，推动国产448G DAC全球份额从5%向25%跃进。莫仕凭借系统级设计优势，联合开放计算项目(OCP)等组织推动标准制定;立讯精密则以KOOLIO™ CPC架构实现110mm基板集成1024对差分信号，预留出向3.2T升级的路径。6月苏州的全球高速铜缆大会上，华为、中兴、海棠电子等500家企业的集结，标志着“材料-设备-应用”的协同生态初步成形。

　　一、莫仕(Molex)：系统级协同设计与标准引领​

　　莫仕的核心优势在于系统级整合能力与标准制定话语权。面对448G技术中信号衰减(插入损耗高达50dB)和热管理(3.2T光模块功耗超50W)的挑战，莫仕通过差分信号架构和增强型编码技术​(如PAM6预均衡)优化信号完整性，将插入损耗压至40dB以下，同时采用氟化聚合物(PTFE)屏蔽材料抑制高频串扰至-50dB水平。热管理方面，其液冷+混合冷却方案将散热效率提升5倍，支持1000W/机柜功率密度，并通过热管均温技术避免局部热失控。此外，莫仕联合OIF/IEEE主导CEI-448G标准框架，推动PAM6调制接口规范统一，并探索共封装光学技术，减少长距离铜缆依赖，降低能耗30%以上。

Molex莫什解决方案图/ Molex莫什官方

　　​二、立讯精密：高密度互连与成本效率突破​

　　立讯的核心策略是硬件集成创新与成本控制。其KOOLIO™ CPC架构在110mm×110mm基板上集成16个连接器(每器64对差分信号)，总带宽达256Tb/s，支持224G单通道并预留448G升级路径，通过“线背板模组”替代传统PCB，缩短信号路径30%，满足GPU集群2英里互连需求。成本控制上，铜缆3米内成本仅为光模块1/3，功耗降50%，适配英伟达GB200 NVL72机柜(单柜需5000条铜缆)。针对448G技术瓶颈，立讯采用“轻有源”技术(波束整形+时间重构)，结合光电转换延长铜缆传输距离，并优化OSFP Chip2IO接口，将53GHz插损从1.12dB降至0.76dB，攻克PAM6串扰问题。

　　立讯精密高速共封装铜缆图/立讯精密官方

　　三、中航光电：国产化替代与制造闭环​

　　中航光电聚焦材料自主化与智能制造升级。材料层面，突破0.015mm极细铜线技术打破日企垄断，联合嘉兴海棠电子开发国产FEP发泡材料(介电常数1.3)，信号衰减降低40%，支撑224G量产并适配448G需求。制造端引入全自动化生产线​(英捷特喷码系统)，良率达99.995%，并通过通快绿光激光焊接技术提升铜材吸收率至40%，熔深稳定性提高30%。生态协同上，联合华为/中兴建立“材料-设备-应用”研发体，推动国产448G DAC全球份额从5%升至25%，切入英伟达GB200和华为昇腾AI服务器供应链。

中航光电"极光"方案图/中航光电官方

　　03|行业竞争：448G的PAM的幅度等级仍未确立，国产代替国际进口

　　铜缆的战争从未如此激烈。当OIF的标准框架仍在博弈，当PAM6的芯片生态尚未成熟，当CPO技术虎视眈眈，448G的竞赛既是技术的突围，也是国家产业话语权的角力。短期看，2026年224G向448G的过渡将带来30%算力成本下降;长期看，中国能否通过本土化创新主导标准制定，将决定全球算力基座的权力版图。此刻，铜缆中奔涌的不仅是数据，更是重构AI时代的血脉。

　　在448G高速互连领域，调制标准之争聚焦于PAM4、PAM6、PAM8三大技术路径的分歧：PAM4需224 GBaud符号率，导致1m铜缆损耗>15dB且误码率难达标;PAM6虽将误码率降至2.5e-6，但需牺牲7.4dB信噪比;PAM8误码率劣化至1.5e-5，且对通道线性度要求严苛。国际巨头路线分化明显——莫仕押注PAM8并通过虚拟差分通道优化信噪比，博通则坚持PAM4路线依赖高功耗均衡技术，是德科技则以256 GSa/s采样率设备支撑多标准测试。

　　国产技术通过材料与场景创新实现局部突破：中航光电“极光”方案采用超低氧铜将信号衰减优化至4dB/m，成本降30%;南科大单端串扰消除技术实现112Gb/s PAM4插损补偿31dB且功耗仅为国际60%;华为将PAM4用于5G边缘节点，无源散热设计降运维成本90%，中航光电在宁夏数据中心部署10万端口国产铜缆，单机柜带宽密度达256Tb/s。然而国产化仍面临核心瓶颈：高频材料70%依赖日美、测试认证受制于欧美标准，且博通/莫仕持有73% PAM专利，光模块接口由微软/谷歌主导。

　　破局路径依赖生态协同与技术攻坚：南科大联合鹏城实验室攻关112G SerDes IP，中科院碳化硅量子点涂层降高频损耗40%，华为iLossless 3.0支持50μs光铜切换，中兴主导太赫兹PAM6标准组切入6G赛道。当前竞争本质是标准未定窗口期的技术话语权争夺——国产方案通过材料与协议突破实现局部领先，但需加速构建“产学研用”生态，突破高频测试设备与硅光集成封锁，方能在标准战中终结进口芯片定价权。